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SK海力士计划明年开始量产HBM2E DRAM

渔翁先生 来源:电子发烧友网 作者:Allen Yin 2019-08-13 09:28 次阅读

SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比,新款HBM2E拥有大约50%的带宽和100%的额外容量。

该公司透露,SK Hynix的HBM2E支持超过每秒460GB的带宽,基于每个引脚的3.6Gbps速度性能和1,024个数据I / O. 通过利用TSV(硅通孔)技术,最多可以垂直堆叠8个16千兆位芯片,形成一个16GB数据容量的单个密集封装。

SK海力士表示其HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案,支持需要最高内存性能的高端GPU,超级计算机机器学习和人工智能系统。不同于采取模块封装形式并安装在系统板商品DRAM产品,HBM芯片紧密互连到处理器,例如GPU和逻辑芯片小号,相距只有很少?单位分开,这允许更快的数据传送。

“自2013年全球首个HBM发布以来,SK海力士已确立了其技术领先地位,”HBM业务战略公司负责人Jun-Hyun Chun表示。“SK海力士将于2020年开始量产,预计HBM2E市场将开放,并继续加强其在优质DRAM市场的领导地位。”

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